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CAT28F020
D.C. OPERATING CHARACTERISTICS
V CC = +5V ± 10%, unless otherwise specified. (See Note 2)
Symbol
I LI
Parameter
Input Leakage Current
Test Conditions
V IN = V CC or V SS
Min
Typ
Max
± 1
Unit
μ A
V CC = 5.5V, OE = V IH
I LO
Output Leakage Current
V OUT = V CC or V SS ,
± 1
μ A
V CC = 5.5V, OE = V IH
I SB1
V CC Standby Current CMOS
CE = V CC ± 0.5V,
100
μ A
V CC = 5.5V
I SB2
I CC1
V CC Standby Current TTL
V CC Active Read Current
CE = V IH , V CC = 5.5V
V CC = 5.5V, CE = V IL ,
1
30
mA
mA
I OUT = 0mA, f = 6 MHz
I CC2(1)
V CC Programming Current
V CC = 5.5V,
15
mA
Programming in Progress
I CC3(1)
V CC Erase Current
V CC = 5.5V,
15
mA
Erasure in Progress
I CC4(1)
V CC Prog./Erase Verify Current
V CC = 5.5V, Program or
15
mA
Erase Verify in Progress
I PPS
I PP1
I PP2(1)
V PP Standby Current
V PP Read Current
V PP Programming Current
V PP = V PPL
V PP = V PPH
V PP = V PPH ,
± 10
200
30
μ A
μ A
mA
Programming in Progress
I PP3(1)
V PP Erase Current
V PP = V PPH ,
30
mA
Erasure in Progress
I PP4(1)
V PP Prog./Erase Verify Current
V PP = V PPH , Program or
5
mA
Erase Verify in Progress
V IL
V ILC
Input Low Level TTL
Input Low Level CMOS
-0.5
-0.5
0.8
0.8
V
V
V OL
V IH
V IHC
Output Low Level
Input High Level TTL
Input High Level CMOS
I OL = 5.8mA, V CC
(2)
= 4.5V
2
V CC *0.7
0.45
V CC +0.5
V CC +0.5
V
V
V
V OH1
Output High Level TTL
I OH = -2.5mA, V CC(2) = 4.5V
2.4
V
V OH2
Output High Level CMOS
I OH = -400 μ A,
V CC(2)
= 4.5V V CC -0.4
V
V ID
I ID(1)
V LO
A 9 Signature Voltage
A 9 Signature Current
V CC Erase/Prog. Lockout Voltage
A 9 = V ID
A 9 = V ID
11.4
2.5
13
200
V
μ A
V
Note:
1. This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
2. CAT28F020-90, V CCMIN = 4.75 V.
Doc. No. MD-1029, Rev. F
4
? 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
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